logo
0
login
Loading...
عکس اس اس دی اینترنال هایک سمی (P) Wave ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال هایک سمی (P) Wave ظرفیت 512 گیگابایت

HIKSEMI Wave(P) 512GB NVMe M.2 SSD Hard

ویژگی های محصول:
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:
تا 2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:
تا 1025 مگابایت بر ثانیه
فرم فاکتور:
M.2 2280
SSD اینترنال هایک سمی 512 گیگ | سریع و پایدار
رنگ:
این کالا فعلا موجود نیست.

اس اس دی اینترنال هایک سمی (P) Wave ظرفیت 512 گیگابایت، یک حافظه داخلی با سرعت بالا و عملکرد پایدار است که برای نصب روی لپ‌تاپ و کامپیوترهای دسکتاپ طراحی شده است. این SSD با فناوری پیشرفته، سرعت خواندن و نوشتن داده‌ها را افزایش می‌دهد و تجربه‌ای روان و بدون تاخیر در اجرای برنامه‌ها و انتقال فایل‌ها ایجاد می‌کند.

ظرفیت 512 گیگابایت این اس اس دی هایک سمی (P) Wave فضای کافی برای نصب سیستم عامل، نرم‌افزارهای سنگین و ذخیره فایل‌های حجیم مانند عکس، ویدئو و پروژه‌های کاری فراهم می‌کند. طراحی جمع‌وجور و سبک، حمل آسان آن در کیف یا کوله‌پشتی را ممکن می‌سازد و اتصال پایدار SSD به کامپیوتر یا لپ‌تاپ با رابط استاندارد تضمین شده است.

یکی از ویژگی‌های برجسته اس اس دی اینترنال هایک سمی (P) Wave 512 گیگابایت، دوام بالا و مقاومت مناسب در برابر شوک‌های روزمره است که آن را برای کاربران حرفه‌ای، گیمرها و افرادی که به دنبال ارتقای سریع و مطمئن سیستم خود هستند، گزینه‌ای ایده‌آل می‌کند.

با خرید اس اس دی اینترنال هایک سمی (P) Wave ظرفیت 512 گیگابایت از کالا 724، تجربه‌ای سریع، امن و پایدار در ارتقای کامپیوتر خود خواهید داشت.

مشخصات اس اس دی اینترنال هایک سمی (P) Wave ظرفیت 512 گیگابایت

مشخصات فیزیکی
ابعاد
وزن
7 گرم
وضعیت
مشخصات فنی
ظرفیت
512 گیگابایت
سایر قابلیت‌ها
♦ دمای ذخیره سازی: ℃85 - 40-
♦ دمای عملیاتی: ℃70 - 0
♦ (TBW): 120TB
نوع رابط
PCIe 3.0 NVMe
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
تا 2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
تا 1025 مگابایت بر ثانیه
فرم فاکتور
M.2 2280
قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل‌های
Windows® 7/8.0/8.1/10/11
نوع فلش
3D NAND
میانگین عمر
1.500.000 ساعت
مقاوم در برابر ضربه
مقاوم در برابر شوک
ضد خش
مقاوم در برابر لرزش
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
وضعیت